6月26日上午,澳大利亚国立大学电子材料工程系主任、澳大利亚研究理事会Future Fellow、IEEE澳大利亚纳米技术委员会主席、教育部“海外名师”入选者Hark Hoe Tan教授应邀在宣城校区行政楼102作了题为“Compound Semiconductors for Optoelectronic Devices”的学术报告。化工与食品加工系主任史成武教授、系党总支副书记、副主任黄明永、工业与装备技术研究院胡颖研究员、校区部分青年教师和一百多名同学参加了此次报告,报告会由工业与装备技术研究院刘家琴副教授主持。
报告中,Hark Hoe Tan教授首先从光电器件的应用开始,图文并茂、深入浅出地向大家介绍了半导体材料及相关定义,指出了从间接带隙的Si、Ge发展到GaAs、GaN、InP、InGaAs等化合物半导体材料的意义,半导体的p型、n型掺杂及p-n结的形成及能带,最后介绍了化合物半导体材料与器件可控制备等的过程与研究成果。
报告会引起了与会师生的浓厚兴趣,在报告结束后多名师生就半导体纳米结构、化合物半导体材料合成及出国留学等自己感兴趣的问题和Hark Hoe Tan教授进行了广泛深入的交流。(王艳青、徐唱/文 王云飞/图)